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103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員(基層專員)遴選_資訊類專業職(四)第一類專員:電子學(重複)#64075
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49.一空乏型 NMOSFET 的 I
DSS
= 9 mA、V
P
= −3 V,當 V
GS
= 1 V、V
DS
= 4 V 時,I
D
值為何?
(A) 1 mA
(B) 4 mA
(C) 9 mA
(D) 16 mA
答案:
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統計:
A(11), B(5), C(1), D(5), E(0) #1648063
詳解 (共 1 筆)
Qookjw
B1 · 2021/08/14
#5008208
(共 1 字,隱藏中)
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50.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VDS = 4 V 時,則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何? (A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D) 16 : 1
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54. B 類輸出級(class B output stage)在最大功率損耗時的轉換效率約為: (A) 25% (B) 50% (C) 75% (D) 78.5%
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55.有關 AB 類輸出級(class AB output stage)的敘述,下列何者錯誤? (A)操作模式與 A 類輸出級類似 (B)輸入電壓極小時,兩個電晶體均導通 (C)交越失真(crossover distortion)幾乎可以完全消除 (D)在靜態狀況(quiescent condition)下仍會消耗功率
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#1648073
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