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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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97年 - 97 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一):電子學與電路學#18989
> 試題詳解
8. 如圖(二)所示之電路,稽納 ( Zener ) 二極體之崩潰電壓 VZ = 16 V,試求此稽納二極體之 消耗功率?
(A) 8 mW
(B) 6.4 mW
(C) 10 mW
(D) 近乎 0 W
答案:
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統計:
A(2), B(6), C(2), D(34), E(0) #713376
詳解 (共 1 筆)
Amaterasu
B1 · 2018/01/27
#2601579
設 稽納二極體 上方的點 為a點,則 V...
(共 92 字,隱藏中)
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9. 下列對於一個 BJT 電晶體之操作敘述,何者有誤? (A) BJT 當作開關使用且處於開路,此時 BJT 是操作於截止區 ( Cut Off Region ) (B) BJT 當訊號放大器使用時是工作於主動區 ( Active Region ) (C) BJT 操作於主動區( Active Region ) 時的偏壓方式是,B-E 介面順向偏壓( Forward Bias ), B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias ) (D) BJT 操作於飽和區( Saturation Region )時的偏壓方式是,B-E 介面逆向偏壓( Reverse Bias ), B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias )
#713377
10. 如圖(三)所示之電路。雙極性電晶體具有以下之規格:最大額定功率 PD(max) = 1 W, VBE(max) = 0.7 V,VCE(max) = 15 V,β = 100 和 IC(max) = 200 mA。下列敘述何者有誤? (A) IB = 0.1 mA,IC = 10 mA (B) 若電晶體操作在 VCE = VCE(max)之 情形下,此時電晶體功率消耗未 超過額定值 (C) 此電路之 VCC最大可以為 30 V (D) 若 VCC = 20 V,此電路之電晶體 處於主動區 ( Active Region ) 工 作狀態
#713378
11. 下列何者不是理想運算放大器之特性? (A) 輸入阻抗無限大 (B) 有虛擬接地 ( Virtual Ground ) 現象 (C) 輸出阻抗無限大 (D) 開迴路電壓增益無限大
#713379
12. 如圖(四)所示之電路,當二極體順向偏壓降為 0.7 V, VR1 = 2 V 時,試求此電路中的電壓源 電壓 Vi? (A) 10 V (B) 4 V (C) 2.7 V (D) 1.3 V
#713380
13. 圖(五)之電路是下列何種型態的電路?(A) 加法器 (B) 積分器 (C) 微分器 (D) 反相器
#713381
14. 承第 13 題,此電路可形成何種濾波器? (A) 低通濾波器 ( Low Pass Filter, LPF ) (B) 高通濾波器 ( High Pass Filter, HPF ) (C) 帶通濾波器 ( Band Pass Filter, BPF ) (D) 帶拒濾波器 ( Band Reject Filter, BRF )
#713382
15. 如圖(六)所示電路中,假設 D 為一理想二極體,Vi(t) 為一個弦波輸入,VR> 0,則其輸出 波形 Vo(t) 應該最接近下列何者?
#713383
16. ,試求流過電阻 R 的電流 IR? (A) 5 mA (B) 0.5 mA (C) 2 mA (D) 2.5 mA
#713384
17. 承第 16 題,Vout之輸出電壓為何? (A) 2.5 V (B) 1 V (C) 5 V (D) 0 V
#713385
18. 對 CMOS 四個英文縮寫字母的涵意說明,下列何者有誤? (A) C ( Complementary ) 是指「互補」之意 (B) M ( Memory ) 是指「記憶體」之意 (C) O ( Oxide ) 是指「氧化物」之意 (D) S ( Semiconductor ) 是指「半導體」之意
#713386
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