阿摩線上測驗
登入
首頁
>
技檢◆儀表電子-甲級
>
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 03:零組件知識 1-33(2025/11/04 更新)#133277
> 試題詳解
9. 下列 IC 包裝,何者並非表面黏著元件(SMD)型式?
(A)PLCC
(B)BGA
(C)QFP
(D)PGA 。
答案:
登入後查看
統計:
尚無統計資料
詳解 (共 1 筆)
MoAI - 您的AI助手
B1 · 2025/11/12
#7072458
題目解析 題目要求我們找出哪一種 IC ...
(共 994 字,隱藏中)
前往觀看
0
0
相關試題
10. 下列何種可變電阻器其電阻值變化與轉軸之旋轉角度成反對數關係? (A)A型 (B)B 型 (C)C 型 (D)D 型 。
#3664620
11. 下列何者為一般 24ψ和 18ψ之可變電阻器的額定功率? (A)1W (B)500mW(C)250mW (D)100mW 。
#3664621
12. 當電晶體之集射極互換後,下列敘述何者為錯誤? (A)放大率下降 (B)崩潰電壓下降 (C)失真度不變 (D)開關速度變慢 。
#3664622
13. 當溫度每升高 1℃時,MOSFET 之 VT值的變化下列何者為正確? (A)-2~-5mV (B)+2~+5mV (C)-6~-10mV (D)+6~+10mV 。
#3664623
14. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽二極體兩端壓降的變化約為下列何者? (A)+2mV (B)+4mV (C)-2mV (D)-4mV 。
#3664624
15. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽電晶體的 VBE變化約為下列何者?(A)-2mV (B)-4mV (C)+2mV (D)+4mV 。
#3664625
16. 設某一電晶體在室溫下之 ICBO為 50nA,則當溫度升高 10℃後,其 I 之值變成下列何者? (A)50nA (B)100nA (C)150nA (D)200nA 。
#3664626
17. 設某一電晶體在室溫下之 ICBO為 6μA,則當溫度升高 10℃後,其 ICEO之值變成下列何者? (A)3μA (B)6μA (C)12μA (D)18μA 。
#3664627
18. 砷化鎵(GaAs)元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤? (A)砷化鎵元件有較高的輸出電流 (B)砷化鎵元件有較高的gm(C)砷化鎵元件有較高的操作速度 (D)砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率(mobility) 。
#3664628
19. 下列對理想運算放大器的說明何者為錯誤? (A)輸入、輸出阻抗為無限大(B)共模拒斥比為無限大 (C)開迴路增益為無限大 (D)可放大之信號頻率為從零到無限大 。
#3664629
相關試卷
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 11:成本概論 1-26(2025/11/04 更新)#133290
2025 年 · #133290
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 10:裝配、測試與檢修知識 1-48(2025/11/04 更新)#133289
2025 年 · #133289
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 09:儀表電學 101-122(2025/11/04 更新)#133288
2025 年 · #133288
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 09:儀表電學 51-100(2025/11/04 更新)#133287
2025 年 · #133287
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 09:儀表電學 1-50(2025/11/04 更新)#133286
2025 年 · #133286
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 08:嵌入式系統概論與應用及程式設計 51-109(2025/11/04 更新)#133285
2025 年 · #133285
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 08:嵌入式系統概論與應用及程式設計 1-50(2025/11/04 更新)#133284
2025 年 · #133284
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 07:數位系統 51-77(2025/11/04 更新)#133283
2025 年 · #133283
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 07:數位系統 1-50(2025/11/04 更新)#133282
2025 年 · #133282
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 06:電子電路 51-73(2025/11/04 更新)#133281
2025 年 · #133281