題組內容

二、在 室 溫 300 K 時 ， 電 子 的 擴 散 係 數 Dn = 35 cm 2 /s 與 遷 移 率μn =1350 cm 2 /V-s 。考慮某 n 型矽半導體在 x ≥ 0 處的電子濃度分布可表示為 n( x)= 5 ✖ 1015 e - x / Ln cm-3，其中 Ln = 2✖10-3 cm 。另外，在此半導體還存 在 一 個 + x 方 向 的 固 定 電 場 E = 150 V/cm 。 已 知 電 子 電 荷q = 1.6✖ 10-19 C ； 波 茲 曼 常 數 k = 8.62 ✖ 10-5 eV/K ； 本 質 載 子 濃 度ni = 1.5 ✖ 1010 cm -3 。請回答以下子題：

(三)計算在 x = 0 處電子的擴散電流密度(diffusion current density)大小？ (10 分)