⑴水流經過均勻圓管壁面的剪應力可表為τ = fρV²/8，其中f為摩擦係數，ρ為水的密 度，V為平均流速。若圓管之直徑為D，總長為L時，試證明水流在此圓管之水頭 損失（head loss）為hf = f(L/D)(V²/2g)，其中g為重力加速度。（10 分）

⑵下圖抽水系統有兩個很大的蓄水池，二者的水面高度差（z2–z1）為 30 m。假設除圓 管壁之能量損失外，其他如圓管轉彎及接頭等能量損失係數之總和為 1.5。試求抽水機 之揚程（pump head）至少須為多少，才能將下面蓄水池的水以流量 0.2 m3/sec抽至上層 蓄水池？（其中D = 0.4 m，L=1200 m，f = 0.015，ρ = 1000 kg/m3，g = 9.8 m/sec2）。 （15 分）

⑴如圖為圓柱型杯，內半徑 3 cm，高 20 cm。若杯內裝水 16 cm，並以等旋轉角速 度 ω（angular speed）旋轉，求穩定（steady）表面水位的表示式。（15 分）

⑵若以上述條件，求使得杯內水恰好溢出杯外之最低旋轉角速度 ω。（10 分） 3cm 20cm 原始靜止水位 16cm 旋轉中穩定的表面水位 ω

一、半導體製程中於晶圓上製作線路須對光阻曝光，請說明曝光之能量源有那些，並敘 述其優缺點。（24 分）

二、請說明並繪圖出晶圓之規格 TIR（Total indicated runout），TTV（Total thickness variation）與 FPD（Focal plane deviation）之定義。（24 分）

三、何謂 Lift-off 製程？於元件製作過程中，那一步驟須此製程？（12 分）

四、請說明晶圓先烘烤（prebake），光阻軟烤（soft-bake）與光阻硬烤（hard-bake）之功 能為何？（9 分）

五、請說明單晶之矽晶圓與砷化鎵晶圓有何不同？並說明此兩種材料之自然斷裂面分別 為那一平面？為何有此差異？（15 分）

六、何為軟性電子？薄膜電晶體與傳統電晶體有何差異？（8 分）

七、浸潤式曝光顯影與傳統曝光顯影有何差異？其主要用途為何？（8 分）

115年 - 115 身心障礙特種考試_三等_水利工程：流體力學#138962

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