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半導體工程
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104年 - 104 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#35133
> 申論題
題組內容
四、
⑵以熱氧化法成長的二氧化矽(SiO2)薄膜,起初成長的二氧化矽薄膜厚度與時間成 線性關係,隨著時間增長,二氧化矽薄膜厚度與時間的開根號成正比。請說明這 兩者的物理機制,這兩種機制分界處的二氧化矽薄膜厚度約為多少?(10 分)
相關申論題
⑶請比較使用銅優於鋁作為導線製程技術的原因,至少列出三項。(10 分)
#92808
⑷請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點,至少列出四項。(10 分)
#92809
一、⑴各型航空發動機各有適合飛行之速度以及高度範圍,試敘述之,並說明其原 因。(10 分)
#92810
⑵某渦輪扇發動機(turbofan engine)在海平面靜力試驗之推力為 10,000 N,燃料流 量率為 6,000 kg/hr,若核心空氣(core flow)流率為 100 kg/s,旁通比(bypass ratio)為 7,請計算其比推力(specific thrust)以及推力燃油消耗率(thrust specific fuel consumption)。(10 分)
#92811
二、為了降低飛機降落距離(landing distance),可以採用推力反向器(thrust reverser) 之設計。某渦輪扇發動機(turbofan engine)裝設推力反向器(thrust reverser),假 設此發動機進氣溫度為 15℃,壓力為 100 kPa,進氣量為 1,000 kg/s,進氣速度為 150 m/s,旁通空氣量為 800 kg/s,速度為 300 m/s,空氣經推力反向器(thrust reverser)後與地面夾角為 60°,壓力為 100 kPa,其餘空氣經由發動機核心(engine core)流出,其速度為 400 m/s,壓力為 100 kPa。請計算作用在發動機機架之力 量。(20 分)
#92812
三、若進氣道之入口面積為 5.0 m2 ,進氣之馬赫數為 M1=0.7,發動機飛行高度為 1,000 m,飛行馬赫數為 M0=0.3,請計算進氣之 additive drag。(20 分) 註:(A/A* )M0 =2.03,(A/A* )M1 =1.09,P1=89.85 kPa
#92813
四、⑴試說明衝壓發動機(ramjet)之結構組成為何?(10 分)
#92814
⑵請繪出衝壓發動機(ramjet)熱力循環之 T-S 圖及其工作原理。(10 分)
#92815
五、⑴何謂擴散器(diffuser)之壓力恢復(pressure recovery)以及總壓力比(overall pressure ratio)?(10 分)
#92816
⑵請定義擴散器(diffuser)之 isentropic efficiency,如何提高擴散器(diffuser)之 isentropic efficiency?(10 分)
#92817
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