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世界貿易組織法規
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108年 - 108 高等考試_三級_智慧財產行政:世界貿易組織法規(與貿易有關之智慧財產協定)#77992
> 申論題
一、試從「與貿易有關之智慧財產權協定(TRIPS)」第 3 條及第 4 條之規定, 說明 TRIPS 規範下,「最惠國待遇」與「國民待遇」之適用原則為何? (25 分)
相關申論題
二、試論在「與貿易有關之智慧財產權協定(TRIPS)」第 12 條之規定中, 關於著作權之保護期間規定為何?(15 分)第 13 條中之限制及例外為 何?(15 分)第 14 條中關於對表演人、錄音物製作人及廣播機構之保 護又為何?(15 分)
#317264
三、試分析就地理標示(Geographical Indication)之保護而言, 「與貿易有關 之智慧財產權協定(TRIPS)」第 22 條與第 23 條有何不同?(15 分)目 前在世界貿易組織之談判中,歐盟與美國對地理標示議題所採之立場有 何不同?(15 分)
#317265
一、巧固球(Tchoukball)運動有「君子球」之稱,試述巧固球運動的起源 (10 分)及其在運動教育上的意義。(15 分)
#317266
二、試述近代德國體育的制度,包括博愛學校、楊氏體育為何能普及全歐洲 的原因。(25 分)
#317267
三、試述我國舉重代表隊選手參加歷屆奧林匹克運動得牌的情形, (15 分) 並分析得牌的原因。(10 分)
#317268
四、試述宋代養生運動八段錦的起源(10 分)及八段錦各個動作。(15 分)
#317269
一、對於 n 型矽半導體,它的電子漂移速度(drift velocity)隨著電場增加 而線性增加,但在超過某一臨界電場時,此電子漂移速度會趨近飽和值 1 × 107 cm/s,請說明為什麼在高電場時電子漂移速度會趨近飽和?並說 明此電子動能的來源或機制。(20 分)
#317270
⑴請計算此蕭特基接面的能障值(barrier height, qφB )與內建電位值 (built-in potential, qVbi) 。(10 分)
#317271
⑵請繪出此蕭特基接面的能帶圖,並指出此蕭特基接面的能障與內建電 位的位置處。 (10 分)
#317272
三、⑴對於一般的矽材料之 npn 雙極性電晶體設計,都是採用高濃度的射 極,低濃度的薄層基極。請說明此低濃度的薄層基極對電晶體的高頻 響應有何影響?(10 分)
#317273
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