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半導體工程
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110年 - 110 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#101633
> 申論題
二、在化學氣相沉積(CVD)方法中反應溫度與成長速率有那兩種關係反應 出其成長機制?請解釋此兩種之意義?又那一種為 CVD 成長較希望控 制之成長機制,為什麼?(15 分)
相關申論題
三、某 一 直 接 能 隙 ( 1.42 eV ) 之 化 合 物 半 導 體 平 衡 時 之 載 子 濃 度,照光時每 μsec 產生電子電洞對,如果少數載 子生命週期是 2 nsec,請計算 quasi-Fermi level,並畫出照光前後能隙 Fermi level 之變化。此材料之本質濃度為。(25 分)
#426628
四、請畫出 pn 同質接面之發光二極體(LED)平衡時與順向偏壓之能帶圖 (10 分),請說明發光區域主要在 LED 之何處並說明原因。(10 分)
#426629
五、請畫出 PMOS 場效電晶體結構,並說明如何將此場效電晶體開啟(turn on) 與關閉(turn off) 。(15 分)
#426630
六、為什麼在矽局部氧化形成時,氧化薄膜會向矽基板內生長?請計算其比 例(以未成長時之表面當參考位置)。(15 分)
#426631
一、請以氣體燃燒為例,詳細說明各燃燒要素、環境壓力及發火條件。 (25 分)
#426632
二、請分別說明液化氣體容器發生蒸氣爆炸前之現象,與原油或重質油發生 沸溢(Boilover)前之現象。 (25 分)
#426633
一、如圖所示,三個半徑均為 a 的平行圓柱形導線,其彼此間距為 d,假設 d >> a ,試求導線間每單位長度的相互電容 。 (20 分)
#426634
二、在 xy 平面上,有一條 N=10 匝導線的長方形迴路並串聯一個電阻 R = 30 ( Ω) ,該迴路於 x 方向的長為 0.6 ( m ) 及 y 方向的寬為 0.2 (m ) ,左 下角位於坐標原點,迴路中通過的磁通密度為, 其中 B0 = 3( μ T ),角頻率 ω =5π ✖ 107 ( rad/s ),試求迴路電流為何。 (20 分)
#426635
三、試論述均勻平面電磁波在低損耗介電材料(Low-Loss Dielectrics)與良 導體(Good Conductors)中之傳播常數、本質阻抗與相速度等特性, 並分析兩種材料之不同。(20 分)
#426636
四、如圖所示,考慮一特徵阻抗為 R0,長度為之無損傳輸線,波傳播速度為 u,負載端( z = )接一電容 CL,於時間 t = 0 時,將開關按下,接上一 內阻亦為 R0 之直流電壓源 V0,試求負載端之暫態電壓 vL(t) 。(20 分)
#426637
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