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半導體工程
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107年 - 107 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#73694
> 申論題
六、請畫出 p 型半導體與 n 型半導體形成 pn 接面前後之能隙圖。（10 分）
相關申論題
七、請畫出 pn 二極體在順向偏壓時少數載子和電子/電洞產生電流之分布， 並標示少數載子與電壓之關係式。（10 分）
#300007
八、一個理想之 MOS 元件，如果半導體載子 NA=1017/cm3 ，請計算其空乏區 最大寬度。（Note：矽相對介電常數=11.9，真空介電常數=8.85×10-14 F/cm） （4 分）
#300008
九、何謂異質接面？何謂磊晶？欲得到品質佳之異質磊晶膜需符合那些要 素。（8 分）
#300009
十、若於 Si（莫耳重：28.9 g/mol；密度：2.33 g/cm3 ）晶圓上以熱氧化方式 成長 SiO2（莫耳重：60.08 g/mol；密度：2.21 g/cm3 ）膜厚為 x，請說明 將有多少 Si 會轉換成 SiO2。（8 分）
#300010
⑴推導輸出電壓（vo），用 vi1，vi2，Ra，Rb，Rc，Rd表示。（10 分）
#300011
⑵推導共模增益（Acm）。（10 分）
#300012
⑶推導共模拒斥比（CMRR）為無限大的條件，用 Ra，Rb，Rc，Rd表示。 （5 分）
#300013
⑴假設運算放大器的輸入電阻為無限大，輸出電阻為零。請推導回授係 數 β，用 Ra，Rb表示。（10 分）
#300014
⑵假設開迴路電壓增益為 103 ，回授係數 β=0.099，求閉迴路電壓增益 Af。（15 分）
#300015
⑴請繪出第一級之小信號等效電路。（10 分）
#300016
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