題組內容

三、一理想金氧半場效電晶體，臨界電壓V_th = 1 V，介電層（MOSFET）（SiO₂）厚度 10 nm， SiO₂ 介電係數 3.9ε ₀ ， ε ₀ = 8.854 ×10⁻¹⁴F/cm 。（每小題 10 分，共 20 分）

⑴若汲極飽和電壓與飽和電流分別為 2.5 V 與 5 mA，請繪出汲極電壓範圍 0 ≤ V_ds ≤ 5 V 之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓V_gs。