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基本電學(概要)
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97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:基本電學#48717
> 申論題
題組內容
四、如圖所示,試問:(20 分)
⑴ 在 t = 0 時,開關 S 閉合瞬間,電流 I 為多少?
詳解 (共 2 筆)
Jun(電雇
詳解 #2305899
2017/06/30
(共 1 字,隱藏中)
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lock820926
詳解 #2730560
2018/04/17
開關 S 閉合瞬間(暫態)C短路 L開路...
(共 33 字,隱藏中)
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⑵ 當電路達穩定狀態時,電流 I 為多少?
#169904
⑶ 若此電路之電容損壞,並呈現開路之情況,則在開關 S 閉合瞬間 t=0 時,電路之 電流 I 為何?
#169905
⑷ 同第⑶ 小題之情況,在 1、2 兩點間之電壓為何?
#169906
⑸ 同第⑶ 小題之情況,此電路之時間常數為何?
#169907
⑴ a, b 兩端之等效阻抗 為何?
#169908
⑵ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ,且其電源具有一內部阻抗 ,在何種情況下,a,b 兩 點之間之負載可獲得最大功率轉換?
#169909
⑶ 同第⑵ 題,a,b 兩點之間之負載可吸收最大功率為何?
#169910
⑷ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ,而電源內部阻抗 = 0 ,求此電路之平均功率為何?
#169911
一、⑴試繪圖說明增強型 n-MOSFET 之半導體結構圖
#169912
⑵一個n通道MOSFET工作於飽和區域,MOSFET常數Kp =20mA/V2 ,臨界電壓( threshold voltage)為Vt=1.5V,若閘極-源極間之電壓為VGS=3V,試求MOSFET 於飽和狀態時之汲極電流ID值以及小信號轉導(transconductance)gm值。(20 分 )
#169913
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