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化學程序工業(包括質能均衡)
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104年 - 104 高等考試_三級_化學工程:化學程序工業(包括質能均衡)#39443
> 申論題
題組內容
四、有一反應器內含殼管式熱交換器,熱油流經管外提供熱量以維持反應進行,目前操作條件 參考下圖所示,針對下列節能方案,評估其節能成效?(每小題 10 分,共 20 分)
⑵二股物流改為 countercurrent。
註:假設流體物化特性保持不變
相關申論題
⑴請用流程圖說明製造流程。
#117688
⑵乙烯氧化常有工安風險,如何解決?請用簡易流程圖說明其進料聯鎖(interlock) 系統。
#117689
⑴反應速率活化能 Ea = 0.5 eV 固定,T = 450 K 之反應速率為 T = 400 K 之幾倍?
#117690
⑵ T = 400 K 固定,當 Ea = 0.4 eV 時之反應速率為 Ea = 0.5 eV 之幾倍?
#117691
⑴三層堆疊換算成 SiO2 之等效厚度(equivalent oxide thickness)為多少?
#117692
⑵加上偏壓 5 V 於三層材料,各別之壓降 VAl2O3、VHfO2 及 VSiO2 為多少?
#117693
三、在 n 通道 MOSFET 製程技術中,利用間隙壁(spacer)及兩次離子佈植實施 LDD (lightly doped drain)結構,請說明製程步驟。(15 分)
#117694
四、在 p 通道 MOSFET 製程技術中,利用深淺不同之離子佈植進行臨限電壓調整 (VT-adjust)及抗擊穿(antipunch-through)佈植,請以 p-MOSFET 元件結構剖面 圖說明兩佈植區域位置及其實施理由。(15 分)
#117695
⑴ PSG 用途為何及需摻雜何種元素。
#117696
⑵ BPSG 用途為何及需摻雜何種元素。
#117697
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