題組內容

一、一個 P-MOSFET，臨界電壓（threshold voltage）V_tp = -0.8 V，源極（source）接地。

⑵將閘極（gate）電壓維持⑴的值，若元件要維持在飽和區（saturation region）操作，汲極（drain）電壓的最高值應為多少？（5 分）

詳解 (共 3 筆)

郭文謙

詳解 #3146264

2019/01/06

P-MOSFET 的VGD >V...

(共 53 字，隱藏中）

前往觀看

葉嘉欣

詳解 #2886688

2018/06/30

0.7

Jie Ying Jhang

詳解 #3408222

2019/06/11

-0.4

(共 6 字，隱藏中）

前往觀看