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102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、電信工程:電子學#44056
> 申論題
題組內容
二、如圖二所示為兩個相等的 NMOSFET Q
1
與 Q
2
所組成的放大器電路。該 NMOSFET 電晶體的啟始電壓(threshold voltage)為 1 V,K
n
= 0.5 μ
n
C
ox
(W/L) = 0.25 mA/V
2
,爾 利電壓(Early voltage)V
A
= 250 V,V
DD
= 15 V,當 Q
1
的汲極靜態點電壓 V
D1
=6 V 時,試求:
⑵此放大電路的輸出電阻 R
o
。(6 分)
相關申論題
⑶若連接2 kΩ的負載電阻(RL)於輸出端(vo),則放大器電路的電壓增益為多少?(6 分)
#143802
⑴試問 Rx 值應該設計為何值,才可以將輸入端之偏壓電流產生的輸出電壓最小化。 (6 分)
#143803
⑵若此 op-amp 為理想放大器,輸出電壓 vo 值為多少?(6 分)
#143804
⑵差模增益(differential gain)Ad,
#143807
⑶共模增益(common-mode gain)Acm,以及
#143808
⑷共模拒斥比 CMRR。 (20 分)
#143809
二、請畫圖說明一 PNP 雙極性電晶體在工作模式(active mode)狀態,其電洞如何從射極 移動到集極來產生電流,並請說明電洞在射極、基極及集極間的移動機制。(20 分)
#143811
四、請畫圖說明 flash A/D converter 之電路架構、操作原理及其優缺點(特點)。(20 分)
#143813
⑴申請專利範圍應包括獨立項與附屬項,請求項數不得少於 10 項,也不得超過 15 項。(10 分)
#143815
⑵獨立項的撰寫請滿足下列要求: 1.包含至少 2 項物的請求項與至少 1 項方法的請求項,其中物的請求項前項 為引用記載形式之請求項。(15 分) 2.第 1 項物的請求項之撰寫請以兩段式(two-part form)為之,即包括前言 部分與特徵部分。(10 分) 3.對於先前技術 1、2 與 3 而言,獨立項應具有新穎性與進步性,且最大限度 維護申請人的利益。(15 分)
#143816
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