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100年 - 100 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#45293
> 申論題
題組內容
三、今有一電路如圖(三甲)所示,V
DD
=V
SS
=10 V、I=0.5 mA、R
G
=4.7 MΩ、R
D
=15 kΩ、 R
L
=30 kΩ;其中C
C1
、C
C2
、C
S
為耦合電容。已知此MOSFET的參數如下:V
t
=1.5 V、k
n
= 1.0 mA/V
2
、通道長度調變效應(channel length modulation effect)|V
A
|=75 V。
⑵試計算電晶體中小信號等效電路的gm、rO等參數。(5 分)
相關申論題
⑶試利用 MOSFET 小信號的 T model 等效電路模型畫出此放大電路包括信號源與負 載在內的小信號等效電路。(5 分)
#151926
⑴試研判此放大器為那一類型之組態,請說明你的理 由。(5 分)
#151928
⑵試計算電晶體中小信號等效電路的rπ參數。(5 分)
#151929
⑴試繪製如圖(五丙)之輸出電壓vO與輸入電壓vI之間的關係曲線,請註明各轉折點的 電壓以及各線段之斜率。(15 分)
#151931
⑵若輸入vI為三角波,振幅 10V,如圖(五丁)所示,試繪製輸出電壓 vO 的波形, 並 標示各轉折點的電壓。(5 分)
#151932
一、滴定所使用的一級標準品(primary standard),需要具備那些基本性質?(20 分)
#151933
⑴平均值(mean)
#151934
⑵標準差(standard deviation)
#151935
⑶相對標準差(relative standard deviation,以%表示)
#151936
⑷信賴水平(confidence level)為 95%的信賴區間(confidence interval)。【計算時 所需之 t 值請參考下表】(每小題 5 分,共 20 分)
#151937
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