題組內容

二、矽（Si）薄膜在半導體製程中可利用四氯甲矽烷（SiCl4）與氫氣（H2）在平面基板上 以氣相沉積方式鍍膜，設 S 為鍍膜表面活性位置（active site），整體反應機制如下： 

⑶請問此反應機制是遵守 Eley-Rideal 還是 Langmuir-Hinshelwood 理論。（4 分）