題組內容

二、如圖為一共源（Common source）放大器，該NMOS電晶體之臨限電壓（Threshold voltage）Vt = 1 V，gm = 1 mA/V，不計輸出電阻，即ro →∞，I = 1 mA，VDD = 15 V， Rsig = 100 kΩ，RG = 1 MΩ，RD = 10 kΩ，RL = 10 kΩ。

⑶若RD值可調變，求可使電晶體維持操作於飽和區的RD最大值。（5 分）