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半導體元件
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99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程:半導體元件#46983
> 申論題
題組內容
二、由金屬與n型半導體形成一個理想的蕭基界面,金屬的功函數qΦ
M
,半導體的電子親 和力qX,能隙為Eg,摻雜濃度為N
D
,本質載子濃度為n
i
,電洞遷移率µ
p
,電子遷移 率µ
n
,電洞擴散常數 D
p
,電洞生命期τ
p
:(35 分)
⑺若更換成具有較大功函數的金屬,此一新的理想蕭基二極體,在順向偏壓下,多 數載子電流與少數載子電流的比值,與原有的蕭基二極體相較,何者較大?原因 何在?
相關申論題
⑴當外加偏壓VG=?時,電容達到平帶(flat-band)條件。
#161758
⑵在高的順向偏壓下(VG > 5 V),試繪出電容的能帶圖(energy band diagram)及 電荷分佈圖(block charge diagram)。
#161759
⑶在高的逆向偏壓下,試繪出電容的能帶圖及電荷分佈圖。
#161760
⑷試繪出高頻電容電壓圖,並算出圖中的最大與最小電容值。
#161761
四、試證明n型非簡併(non-degenerate)半導體電子濃度分佈n(E)的最大值位於導帶最 低能位(Conduction-band minimum)Ec的上方kBT/2。(20 分)
#161762
⑴此電池的內阻為多少歐姆?(10 分)
#161763
⑵若輸出電流為 5 安培時,則輸出電壓為多少伏特?(10 分)
#161764
⑴試求 A、B 兩點間之戴維寧及諾頓等效電路。 (10 分)
#161765
⑵當 A、B 間以一 5 歐姆電阻連接時,流過此電阻 之電流為何?(10 分)
#161766
三、如圖二所示之電路,試算出電路中各元件 所產生或消耗之功率。(20 分)
#161767
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