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102年 - 102 鐵路特種考試_員級_電力工程、電子工程：電子學概要#44273
> 申論題
題組內容
三、如圖所示為一多級放大器電路。MOS 電晶體的特性： k ′n (W/L)= k ′p (W/L)=0.5 mA/V
2
, V
tn
=|V
tp
|=1V。不考慮電晶體的輸出電阻。
⑴分別求電晶體 Q
1
、Q
2
的源極直流偏壓電位。（10 分）
相關申論題
⑵求小信號增益 vo/vin。（10 分）
#145321
⑴求轉換函數 Vo(s)/Vin(s)。（10 分）
#145322
⑵由轉換函數找出極點頻率以及此頻率下的相位移。（5 分）
#145323
⑶請問這是那一種濾波器？（5 分）
#145324
⑴畫出 CMOS 反相器的電路圖，並說明為何靜態功率消耗極低。（10 分）
#145325
⑵說明在雙極性電晶體（BJT）邏輯電路中，射極耦合邏輯（emitter-coupled logic） 操作速度快的原因。（10 分）
#145326
㈠若使用理想之運算放大器，請計算電壓增益 vO / vI ；（10 分）
#145327
三、在純矽半導體中參雜（doping）適量的磷原子（擁有 5 個價電子）之後，請說明會 形成 n 型（n type）或 p 型（p type）半導體？參雜前後自由電子與電洞的數目有何 改變，亦請說明？（10 分）
#145329
四、請說明二極體之匱乏區（depletion region）如何形成。在未施加任何偏壓之下，二極 體的陽極（anode）與陰極（cathode）之電位孰高孰低？請務必說明原因。（10 分）
#145330
㈡若運算放大器之開路增益（open-loop gain）A 並非無限大，且 R2＝10 kΩ、R1＝1 kΩ， 在需要將㈠求出之電壓增益誤差壓低到 1% 以內的條件下，A 的最小數值為何？ （10 分）
#145333
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