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108年 - 108 漢翔航空工業股份有限公司_新進人員甄選_師級/電子電機A、電子電機B:電子學#79630
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47 若 3μF 之電容可耐壓 300V 與 6μF 可耐壓 200V 之電容串聯後,總耐壓為何?
(A)500V
(B)450V
(C)300V
(D)200V
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統計:
A(8), B(52), C(5), D(8), E(0) #2079149
詳解 (共 1 筆)
桃園機場已上榜 待中油
B1 · 2020/05/10
#3944235
Q1=CV=3μ*300=900μCQ2...
(共 105 字,隱藏中)
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48 一運算放大器之轉動率(Slew rate)為 0.314V/μS,若想得到峰值 10V 以上的正弦波輸出, 則輸入信號之最高頻率為何? (A)3.14KHz (B)5KHz (C)10KHz (D)31.8KHz
#2079150
49 如【圖 49】為 TTL 數位元件之內部電路,若兩輸入端 vX、vY 均空著,未接其他電路時,其 輸出 vO約為何? (A)2.5V (B)3.7V (C)0V (D)5.0V
#2079151
50 如【圖 50】中,FET 之互導 gm=1mΩ 、輸出阻抗 ro=∞ Ω,R1=100KΩ、R2=200KΩ、 Rs=1KΩ,則 vo 端之輸出阻抗為何? (A)∞ Ω (B)66.6KΩ (C)1KΩ (D)500Ω
#2079152
51 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 51】,若電晶體 β=100,VBE=0.7V,則此集極電流 Ic 為: (A)0.04mA (B)0.4mA (C)4mA (D)8mA
#2079153
52 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 52】7,若電晶體 β=200、VBE=0.7V,則此集極-射極 電壓 VCE為: (A)1V (B)3V (C)5V (D)7V
#2079154
53 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)偏壓電路如【圖 53】,已知電晶體的參數 K=0.5 2 mA /V2 ,臨界電壓(threshold viltage)Vt=2V、VDS=4V,則此 RD 為: (A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ
#2079155
54 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)的參數 K=0.2 2 mA /V2 ,臨界電壓(threshold voltage)Vt=4V,若閘極-源極電壓 VGS=8V,則汲極電流 ID為: (A)1.6mA (B)3.2mA (C)4.2mA (D)5.2mA
#2079156
55 如【圖 55】所示,運算放大器為理想特性,Vi(s)及 Vo(s)分別為 vi及 vo 的拉式轉換(Laplace transformation),則 Vo(s)/Vi(s)為: (A)-R1C1S (B)− (C) ) − (D)-(R1+C1S)
#2079157
56 如【圖 56】所示,此電路的功能為: (A)積分器 (B)微分器 (C)加法器 (D)減法器
#2079158
57 二極體電路如【圖 57】,若二極體為理想特性,電路中 I1 為: (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)5mA
#2079159
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