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技檢◆儀表電子-甲級
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114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 03:零組件知識 1-33(2025/11/04 更新)#133277
> 試題詳解
6. 下列何者為蕭特基(Shockley)二極體的典型順向電壓降?
(A)0.2V~0.5V
(B)0.5V~2V
(C)2V~2.4V
(D)2.5V~3V 。
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B1 · 2025/11/12
#7072462
1. 題目解析 蕭特基二極體是一種特殊類...
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7. 矽控整流器(SCR)的閘極觸發脈波寬度若小於下列何者時,將無法觸發矽控整流器進入導通狀態? (A)1ms (B)100μs (C)10μs (D)1μs 。
#3664617
8. 下列何者無法使矽控開關(SCS)截止? (A)陽極電流降至 Ih值以下 (B)加負脈波到陰極閘 (C)加負脈波到陽極閘 (D)加正脈波到陽極閘 。
#3664618
9. 下列 IC 包裝,何者並非表面黏著元件(SMD)型式? (A)PLCC (B)BGA (C)QFP (D)PGA 。
#3664619
10. 下列何種可變電阻器其電阻值變化與轉軸之旋轉角度成反對數關係? (A)A型 (B)B 型 (C)C 型 (D)D 型 。
#3664620
11. 下列何者為一般 24ψ和 18ψ之可變電阻器的額定功率? (A)1W (B)500mW(C)250mW (D)100mW 。
#3664621
12. 當電晶體之集射極互換後,下列敘述何者為錯誤? (A)放大率下降 (B)崩潰電壓下降 (C)失真度不變 (D)開關速度變慢 。
#3664622
13. 當溫度每升高 1℃時,MOSFET 之 VT值的變化下列何者為正確? (A)-2~-5mV (B)+2~+5mV (C)-6~-10mV (D)+6~+10mV 。
#3664623
14. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽二極體兩端壓降的變化約為下列何者? (A)+2mV (B)+4mV (C)-2mV (D)-4mV 。
#3664624
15. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽電晶體的 VBE變化約為下列何者?(A)-2mV (B)-4mV (C)+2mV (D)+4mV 。
#3664625
16. 設某一電晶體在室溫下之 ICBO為 50nA,則當溫度升高 10℃後,其 I 之值變成下列何者? (A)50nA (B)100nA (C)150nA (D)200nA 。
#3664626
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