題組內容

五、下圖反相器電晶體的特性為Vtn = | Vtp | =1V、VA = ∞、 μnCox = 2 μpCox = 250μA/V2 。 當VI由0 V增加到5 V，NMOS 與 PMOS 電晶體會歷經五種不同的操作模式的組合， 依序為 A、B、C、D、E 五區：

⑴製表說明各區電晶體的操作模式（OFF/SAT/LINEAR）。（5 分）