題組內容

三、如下圖 NMOS 放大器，其 MOS 參數為 \( K_n = \mu_n C_{ox} (W/L) \), \( g_m = \sqrt{2K_n I_D} \)，假設 \( V_A = \infty \) 且不考慮基底效應 (Body Effect)。(註：請注意正負號)

(一)求此電路在 \( \omega \rightarrow \infty \) 時，小訊號增益 \( v_o / v_{sig} (V/V) \) 為何？ (15 分)