題組內容
一、在室溫 300 K 時,摻雜雜質完全解離的情況下,若在某矽半導體試片中僅摻雜濃度等於 N D 的施體。請回答以下子題:
(一)若此試片中的電子濃度與電洞濃度分別以 n 與 p 表示,以及本質載子 濃度以 ni 表示。請用數學式子分別表示此矽半導體之電中性(charge neutrality)與質量作用定律(mass-action law) ,並說明其意義?(10 分)
一、在室溫 300 K 時,摻雜雜質完全解離的情況下,若在某矽半導體試片中僅摻雜濃度等於 N D 的施體。請回答以下子題:
(一)若此試片中的電子濃度與電洞濃度分別以 n 與 p 表示,以及本質載子 濃度以 ni 表示。請用數學式子分別表示此矽半導體之電中性(charge neutrality)與質量作用定律(mass-action law) ,並說明其意義?(10 分)