二、如圖二所示電路，求分枝電流I₁、I_D與節點電壓V_G、V_D、V_S。其中電晶體之V_t＝1 V， k_’n(W/L)＝1 mA/V²，通道調變可忽略。（20 分） 

三、如圖三所示之主動負載CE放大器，定電流源I由一pnp電晶體組成。令I＝0.1 mA，兩 電晶體之|VA|＝40 V，β＝200，求Ri、ro、gm及放大器電壓增益Av。（20 分） 

⑴若輸出以單端（single-endedly）取出，求差動增益（differential gain）、共模增益 （common-mode gain）、共模拒絕比（common-mode rejection ratio）（以 dB 表 示）。（10 分）

⑵若輸出以差動方式（differentially）取出，重複⑴各項所求。（10 分） VDD RD RD vo1 - vo + vo2 vicm Q1 Q2 vicm RSS I -VSS 圖四

⑴求迴路增益（loop gain）夠大時之Io /Vs。（12 分）

⑵若輸出電壓由Q5的源極取出，求閉迴路電壓增益（closed-loop voltage gain）。 （12 分） 

一、下圖所示兩層剛構架（Rigid Frame），假設柱梁皆為 H 型鋼，試繪 A、B、C、D 四處結點之構造作法。（20 分）

⑴包鋼鈑

⑵擴柱

⑶包碳纖布

三、台灣地區 RC 平屋頂在防水及隔熱上經常因構造不良而產生問題。試分析其原因並 規劃兩種適當作法，且繪其構造詳細。（20 分）

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